Valmistajan tuotenumero:
IRF8852TRPBF
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IRF8852TRPBF-DG
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
Yksityiskohtainen kuvaus:
Mosfet Array 25V 7.8A 1W Surface Mount 8-TSSOP
Varasto:
12804533
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IRF8852TRPBF Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
HEXFET®
Tuotteen tila
Obsolete
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguraatio
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
25V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
7.8A
Rds päällä (max) @ id, vgs
11.3mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
9.5nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1151pF @ 20V
Teho - Max
1W
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Pakkaus / Kotelo
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Toimittajan laitepaketti
8-TSSOP
Perustuotenumero
IRF8852
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
4,000
Muut nimet
SP001563834
IRF8852TRPBFDKR
IRF8852TRPBFCT
IRF8852TRPBFTR
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRF6156
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 6FLIPFET
IPG20N10S4L22ATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
IRF7380QTRPBF
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC