Valmistajan tuotenumero:
IRFB23N15DPBF
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IRFB23N15DPBF-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 150 V 23A (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) Through Hole TO-220AB
Varasto:
12804515
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IRFB23N15DPBF Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
HEXFET®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
150 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
23A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
90mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3.8W (Ta), 136W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220AB
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
*IRFB23N15DPBF
SP001566508
2156-IRFB23N15DPBF-448
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRFB4615PBF
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
2079
DiGi OSA NUMERO
IRFB4615PBF-DG
Yksikköhinta
0.74
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
IRFB4019PBF
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
743
DiGi OSA NUMERO
IRFB4019PBF-DG
Yksikköhinta
0.76
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPP65R280E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3
IPW60R280E6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
IPI45P03P4L11AKSA1
MOSFET P-CH 30V 45A TO262-3
