Valmistajan tuotenumero:
IRFP4127PBFAKMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IRFP4127PBFAKMA1-DG
Kuvaus:
TRENCH >=100V
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 200 V 75A (Tc) 341W (Tc) Through Hole TO-247AC
Varasto:
13269030
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IRFP4127PBFAKMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tube
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
75A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
21mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5380 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
341W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aste
-
Ehto
-
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247AC
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Lisätietoja
Vakio-paketti
400
Muut nimet
SP005596353
448-IRFP4127PBFAKMA1
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IPB035N12NM6ATMA1
TRENCH >=100V
DMN6041SVT-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
DMN3032L-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1