IRFS4010TRL7PP
Valmistajan tuotenumero:

IRFS4010TRL7PP

Product Overview

Valmistaja:

Infineon Technologies

Osan numero:

IRFS4010TRL7PP-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 190A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK

Varasto:

1183 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12805914
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

IRFS4010TRL7PP Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
HEXFET®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
190A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
9830 pF @ 50 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
380W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
D2PAK
Pakkaus / Kotelo
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Perustuotenumero
IRFS4010

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti
800
Muut nimet
SP001557352
IRFS4010TRL7PPTR
IRFS4010TRL7PPCT
IRFS4010TRL7PPDKR

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
infineon-technologies

IRFU4105PBF

MOSFET N-CH 55V 27A IPAK

infineon-technologies

IRLS3813PBF

MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK

infineon-technologies

IRL3713PBF

MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB

infineon-technologies

IRFSL5615PBF

MOSFET N-CH 150V 33A TO262