Valmistajan tuotenumero:
IRL3102STRLPBF
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IRL3102STRLPBF-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 20 V 61A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D2PAK
Varasto:
12806057
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IRL3102STRLPBF Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
HEXFET®
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
20 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
61A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 7V
Rds päällä (max) @ id, vgs
13mOhm @ 37A, 7V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 15 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
89W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
D2PAK
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
Suunnittelun resurssit
HTML-tietolomake
Lisätietoja
Vakio-paketti
800
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRF6665TRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
ISP75DP06LMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT223-4
IRF3704ZCSTRRP
MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK