Valmistajan tuotenumero:
IRLML5203GTRPBF
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
IRLML5203GTRPBF-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 30 V 3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Varasto:
12852051
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IRLML5203GTRPBF Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
HEXFET®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
3A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
98mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
510 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.25W (Ta)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
Micro3™/SOT-23
Pakkaus / Kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
IRLML5203GTRPBFCTINACTIVE
IRLML5203GTRPBFCT
IRLML5203GTRPBFTRINACTIVE
IRLML5203GTRPBFDKR
SP001567222
IRLML5203GTRPBFTR
IRLML5203GTRPBFDKRINACTIVE
IRLML5203GTRPBF-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRLML5203TRPBF
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
92515
DiGi OSA NUMERO
IRLML5203TRPBF-DG
Yksikköhinta
0.10
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRF9530NSTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
MCH5839-TL-H
MOSFET P-CH 20V 1.5A 5MCPH
IRF630STRL
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK