Valmistajan tuotenumero:
ISC058N04NM5ATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
ISC058N04NM5ATMA1-DG
Kuvaus:
40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 40 V 17A (Ta), 63A (Tc) 3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Varasto:
27917 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12992828
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
ISC058N04NM5ATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™-5
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
17A (Ta), 63A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
7V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
5.8mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 13µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 20 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
3W (Ta), 42W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TDSON-8 FL
Pakkaus / Kotelo
8-PowerTDFN
Perustuotenumero
ISC058N
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
5,000
Muut nimet
448-ISC058N04NM5ATMA1TR
448-ISC058N04NM5ATMA1CT
SP005399119
448-ISC058N04NM5ATMA1DKR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
TK5R3E08QM,S1X
UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM
R6511END3TL1
650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
2N7002W-HF
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323
