Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
ISP14EP15LMXTSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
ISP14EP15LMXTSA1-DG
Kuvaus:
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 150 V 770mA (Ta), 1.29A (Tc) 1.8W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4
Varasto:
861 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12968222
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
ISP14EP15LMXTSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
150 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
770mA (Ta), 1.29A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.38Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 270µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
11.6 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
530 pF @ 75 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.8W (Ta), 5W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-SOT223-4
Pakkaus / Kotelo
TO-261-4, TO-261AA
Perustuotenumero
ISP14E
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
ISP14EP15LM
Tietokortit
ISP14EP15LMXTSA1
HTML-tietolomake
ISP14EP15LMXTSA1-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
SP005343899
448-ISP14EP15LMXTSA1TR
448-ISP14EP15LMXTSA1DKR
448-ISP14EP15LMXTSA1CT
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IST011N06NM5AUMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5
NTH4L022N120M3S
SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
SQJ138ELP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
2SK1691-E
NCH 10V DRIVE SERIES