Valmistajan tuotenumero:
ISP25DP06LMSATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
ISP25DP06LMSATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 60 V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Varasto:
12805577
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
ISP25DP06LMSATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
250mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 270µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
13.9 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
420 pF @ 30 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1.8W (Ta), 5W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-SOT223
Pakkaus / Kotelo
TO-261-4, TO-261AA
Perustuotenumero
ISP25DP06
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
3,000
Muut nimet
SP004987240
ISP25DP06LMSATMA1-DG
448-ISP25DP06LMSATMA1CT
448-ISP25DP06LMSATMA1DKR
448-ISP25DP06LMSATMA1TR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
ISP25DP06LMXTSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
1297
DiGi OSA NUMERO
ISP25DP06LMXTSA1-DG
Yksikköhinta
0.28
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRF7523D1TRPBF
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
IPA90R500C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 11A TO220-FP
IRFS4010PBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
