Valmistajan tuotenumero:
SIPC10N65C3X1SA2
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
SIPC10N65C3X1SA2-DG
Kuvaus:
MOSFET
Yksityiskohtainen kuvaus:
Varasto:
12807801
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SIPC10N65C3X1SA2 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
-
Tekniikka
-
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
-
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
-
Rds päällä (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (enintään)
-
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
-
Käyttölämpötila
-
Asennustyyppi
-
Toimittajan laitepaketti
-
Pakkaus / Kotelo
-
Perustuotenumero
SIPC10
Lisätietoja
Vakio-paketti
1
Muut nimet
SP001611950
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SPD30N03S2L10GBTMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
SPP80N08S2L-07
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
SI3443DV
MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6
