Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
SPB02N60C3ATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
SPB02N60C3ATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO263-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12806749
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SPB02N60C3ATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 80µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
200 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
25W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-3-2
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
SPB02N
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
SPB02N60C3
Tietokortit
SPB02N60C3ATMA1
HTML-tietolomake
SPB02N60C3ATMA1-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
1,000
Muut nimet
SPB02N60C3
SPB02N60C3ATMA1TR
SPB02N60C3XT
SPB02N60C3XT-DG
2156-SPB02N60C3ATMA1
IFEINFSPB02N60C3ATMA1
SPB02N60C3INTR-DG
SPB02N60C3INCT-DG
SPB02N60C3ATMA1CT
SPB02N60C3INCT
SPB02N60C3INTR
SP000013516
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
RoHS non-compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STD3N62K3
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
3586
DiGi OSA NUMERO
STD3N62K3-DG
Yksikköhinta
0.36
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
IRFBE30SPBF
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IRFBE30SPBF-DG
Yksikköhinta
1.34
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SPP20N65C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
SPD50N03S207GBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
SPI07N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO262-3
IRF1310NSTRRPBF
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK