Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
SPD06N60C3ATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
SPD06N60C3ATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO252-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12806901
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SPD06N60C3ATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Not For New Designs
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
750mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 260µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
620 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
74W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
SPD06N60
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
SPD06N60C3
Tietokortit
SPD06N60C3ATMA1
HTML-tietolomake
SPD06N60C3ATMA1-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
INFINFSPD06N60C3ATMA1
SP001117770
2156-SPD06N60C3ATMA1
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IPD60R600P7SAUMA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
9704
DiGi OSA NUMERO
IPD60R600P7SAUMA1-DG
Yksikköhinta
0.25
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
STD10N60M2
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
6542
DiGi OSA NUMERO
STD10N60M2-DG
Yksikköhinta
0.53
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
Osanumero
FCD850N80Z
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
15910
DiGi OSA NUMERO
FCD850N80Z-DG
Yksikköhinta
0.96
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRL540NLPBF
MOSFET N-CH 100V 36A TO262
IRF7466
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
IRLMS5703TRPBF
MOSFET P-CH 30V 2.4A MICRO6
SPD30N06S2-15
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3