Valmistajan tuotenumero:
SPD08N50C3ATMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
SPD08N50C3ATMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 500 V 7.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Varasto:
12211 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12807338
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SPD08N50C3ATMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
Tape & Reel (TR)
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
500 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 350µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
750 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
83W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
PG-TO252-3
Pakkaus / Kotelo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Perustuotenumero
SPD08N50
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
2,500
Muut nimet
2156-SPD08N50C3ATMA1
SP001117776
SPD08N50C3ATMA1-DG
SPD08N50C3ATMA1TR
SPD08N50C3ATMA1CT
SPD08N50C3ATMA1DKR
INFINFSPD08N50C3ATMA1
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SPD04N50C3BTMA1
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO252-3
TN5325N3-G-P002
MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3
IPI60R280C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262-3
