Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
SPP12N50C3XKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
SPP12N50C3XKSA1-DG
Kuvaus:
LOW POWER_LEGACY
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 500 V 11.6A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12807597
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SPP12N50C3XKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
500 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
11.6A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
380mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 500µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
125W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO220-3-1
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
SPP12N
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
SPP12N50C3XKSA1
HTML-tietolomake
SPP12N50C3XKSA1-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
500
Muut nimet
INFINFSPP12N50C3XKSA1
2156-SPP12N50C3XKSA1-IT
SP000681048
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
FCPF11N60
VALMISTAJA
Fairchild Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
461
DiGi OSA NUMERO
FCPF11N60-DG
Yksikköhinta
1.58
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
IPP60R080P7XKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IPP60R080P7XKSA1-DG
Yksikköhinta
2.23
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
Osanumero
IXTP16N50P
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
34
DiGi OSA NUMERO
IXTP16N50P-DG
Yksikköhinta
2.07
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
IXFP16N50P
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
126
DiGi OSA NUMERO
IXFP16N50P-DG
Yksikköhinta
2.18
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRLML5103GTRPBF
MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3
SIPC05N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
IRF3709ZPBF
MOSFET N-CH 30V 87A TO220AB
SPP10N10L
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO220-3