Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
SPP80N06S2-H5
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
SPP80N06S2-H5-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12806380
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SPP80N06S2-H5 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
OptiMOS™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
55 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
80A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
5.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 230µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5500 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
300W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO220-3-1
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
SPP80N
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
SPP80N06S2-H5
HTML-tietolomake
SPP80N06S2-H5-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
500
Muut nimet
SP000014000
SPP80N06S2H5
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
RoHS non-compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STP80NF55-08
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
48
DiGi OSA NUMERO
STP80NF55-08-DG
Yksikköhinta
1.25
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
Osanumero
CSD18533KCS
VALMISTAJA
Texas Instruments
Saatavilla oleva määrä
1016
DiGi OSA NUMERO
CSD18533KCS-DG
Yksikköhinta
0.61
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
DMTH6010SCT
VALMISTAJA
Diodes Incorporated
Saatavilla oleva määrä
50
DiGi OSA NUMERO
DMTH6010SCT-DG
Yksikköhinta
0.54
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
STP80NF55-06
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
999
DiGi OSA NUMERO
STP80NF55-06-DG
Yksikköhinta
1.54
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRLR7833TRL
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
IRFR4104TRR
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
SPD50P03LGBTMA1
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5
SPD02N80C3BTMA1
MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3