Valmistajan tuotenumero:
SPU02N60S5BKMA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
SPU02N60S5BKMA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO251-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-21
Varasto:
12807456
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SPU02N60S5BKMA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 80µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
240 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
25W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO251-3-21
Pakkaus / Kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Perustuotenumero
SPU02N
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
75
Muut nimet
2156-SPU02N60S5BKMA1
SP000012422
SPU02N60S5-DG
SPU02N60S5X
INFINFSPU02N60S5BKMA1
SPU02N60S5
SPU02N60S5IN-DG
SPU02N60S5XK
SPU02N60S5IN
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRFUC20PBF
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
7
DiGi OSA NUMERO
IRFUC20PBF-DG
Yksikköhinta
0.60
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
STD3N62K3
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
3586
DiGi OSA NUMERO
STD3N62K3-DG
Yksikköhinta
0.36
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SIPC08N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
SIPC14N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
IRF6629TRPBF
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
