Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
SPW15N60CFDFKSA1
Product Overview
Valmistaja:
Infineon Technologies
Osan numero:
SPW15N60CFDFKSA1-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO247-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 13.4A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12806568
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
SPW15N60CFDFKSA1 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Infineon Technologies
Paketti
-
Sarja
CoolMOS™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
13.4A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
330mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 750µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1820 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
156W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PG-TO247-3-1
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
SPW15N
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
SPW15N60CFD
Tietokortit
SPW15N60CFDFKSA1
HTML-tietolomake
SPW15N60CFDFKSA1-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
240
Muut nimet
2156-SPW15N60CFDFKSA1
SP000264429
SPW15N60CFD-DG
INFINFSPW15N60CFDFKSA1
SPW15N60CFD
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IXTH22N50P
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IXTH22N50P-DG
Yksikköhinta
2.88
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
AOK20N60L
VALMISTAJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Saatavilla oleva määrä
174
DiGi OSA NUMERO
AOK20N60L-DG
Yksikköhinta
2.65
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
SPW17N80C3FKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
452
DiGi OSA NUMERO
SPW17N80C3FKSA1-DG
Yksikköhinta
2.35
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
Osanumero
IXFH18N60P
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IXFH18N60P-DG
Yksikköhinta
2.99
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
Osanumero
TK14N65W,S1F
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
TK14N65W,S1F-DG
Yksikköhinta
1.41
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
TP5322N8-G
MOSFET P-CH 220V 260MA TO243AA
IRLR7833TRPBF
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
IRF1010ZPBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
SPP11N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3