AUIRL7736M2TR
Valmistajan tuotenumero:

AUIRL7736M2TR

Product Overview

Valmistaja:

International Rectifier

Osan numero:

AUIRL7736M2TR-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 40 V 179A (Tc) 2.5W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric M4

Varasto:

13183 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12946322
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

AUIRL7736M2TR Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Paketti
Bulk
Sarja
HEXFET®
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
179A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 150µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 4.5 V
Vgs (enintään)
±16V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5055 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
2.5W (Ta), 63W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
DirectFET™ Isometric M4
Pakkaus / Kotelo
DirectFET™ Isometric M4

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
AUIRL7736M2TR Datasheet

Lisätietoja

Vakio-paketti
163
Muut nimet
INFIRFAUIRL7736M2TR
2156-AUIRL7736M2TR

Ympäristö- ja vientiluokitus

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Liittyvät tuotteet
international-rectifier

AUIRLR2703TRL

MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

fairchild-semiconductor

FCD900N60Z

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

infineon-technologies

IPA60R280CFDD7

IPA60R280 - 600V COOLMOS N-CHANN

fairchild-semiconductor

FCP600N60Z

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N