Valmistajan tuotenumero:
IXFB110N60P3
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXFB110N60P3-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 110A (Tc) 1890W (Tc) Through Hole PLUS264™
Varasto:
12818878
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXFB110N60P3 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
HiPerFET™, Polar3™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
110A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
56mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
245 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
18000 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1890W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PLUS264™
Pakkaus / Kotelo
TO-264-3, TO-264AA
Perustuotenumero
IXFB110
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
25
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
FCH072N60
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
39
DiGi OSA NUMERO
FCH072N60-DG
Yksikköhinta
4.53
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
FCH070N60E
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
473
DiGi OSA NUMERO
FCH070N60E-DG
Yksikköhinta
5.38
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXTU1R4N60P
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
IXTP02N50D
MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB
IXFR24N90P
MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247
