IXFB38N100Q2
Valmistajan tuotenumero:

IXFB38N100Q2

Product Overview

Valmistaja:

IXYS

Osan numero:

IXFB38N100Q2-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 1000 V 38A (Tc) 890W (Tc) Through Hole PLUS264™

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu
12819632
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

IXFB38N100Q2 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
-
Sarja
HiPerFET™, Q2 Class
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
1000 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
38A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
250mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
13500 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
890W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PLUS264™
Pakkaus / Kotelo
TO-264-3, TO-264AA
Perustuotenumero
IXFB38

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
IXFB38N100Q2
Tietokortit
IXFB38N100Q2
HTML-tietolomake
IXFB38N100Q2-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti
25

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Liittyvät tuotteet
littelfuse

IXTP08N100D2

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB

littelfuse

IXFR180N15P

MOSFET N-CH 150V 100A ISOPLUS247

littelfuse

IXFR64N50P

MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247

littelfuse

IXTM50N20

MOSFET N-CH 200V 50A TO204AE