Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IXFH30N60Q
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXFH30N60Q-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12821895
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXFH30N60Q Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
-
Sarja
HiPerFET™, Q Class
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
30A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
230mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4700 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
500W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247AD (IXFH)
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
IXFH30
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
IXF(H,T)30N60Q
Tietokortit
IXFH30N60Q
HTML-tietolomake
IXFH30N60Q-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
SPW17N80C3FKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
452
DiGi OSA NUMERO
SPW17N80C3FKSA1-DG
Yksikköhinta
2.35
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
TK14N65W,S1F
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
TK14N65W,S1F-DG
Yksikköhinta
1.41
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STW19NM60N
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
STW19NM60N-DG
Yksikköhinta
1.62
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
APT23F60B
VALMISTAJA
Microchip Technology
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
APT23F60B-DG
Yksikköhinta
5.53
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IPW60R125C6FKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
270
DiGi OSA NUMERO
IPW60R125C6FKSA1-DG
Yksikköhinta
2.62
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXFN44N80Q3
MOSFET N-CH 800V 37A SOT227B
IXTA2N80P
MOSFET N-CH 800V 2A TO263
IXFX300N20X3
MOSFET N-CH 200V 300A PLUS247-3
IXFN44N80P
MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B