Valmistajan tuotenumero:
IXFH30N85X
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXFH30N85X-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 850V 30A TO247AD
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 850 V 30A (Tc) 695W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Varasto:
12821567
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXFH30N85X Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
HiPerFET™, Ultra X
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
850 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
30A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
220mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2460 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
695W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247 (IXTH)
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
IXFH30
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
SCT20N120
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
580
DiGi OSA NUMERO
SCT20N120-DG
Yksikköhinta
10.66
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
SCT3160KLGC11
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
2223
DiGi OSA NUMERO
SCT3160KLGC11-DG
Yksikköhinta
5.38
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXFA230N075T2-7
MOSFET N-CH 75V 230A TO263-7
IXTH60N30T
MOSFET N-CH 300V 60A TO247
IXTT26N60P
MOSFET N-CH 600V 26A TO268