Valmistajan tuotenumero:
IXFH6N100
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXFH6N100-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247AD
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 1000 V 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Varasto:
12820170
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXFH6N100 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
HiPerFET™
Tuotteen tila
Not For New Designs
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
1000 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
6A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.5mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
180W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247AD (IXFH)
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
IXFH6
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Muut nimet
IXFH6N100-NDR
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
Not Applicable
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STW11NK100Z
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
STW11NK100Z-DG
Yksikköhinta
3.17
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IRFPG30PBF
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
124
DiGi OSA NUMERO
IRFPG30PBF-DG
Yksikköhinta
1.48
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IXFH7N100P
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IXFH7N100P-DG
Yksikköhinta
7.00
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXTH130N15T
MOSFET N-CH 150V 130A TO247
IXTA300N04T2-7
MOSFET N-CH 40V 300A TO263-7
IXFT50N60X
MOSFET N-CH 600V 50A TO268
