Valmistajan tuotenumero:
IXFK120N65X2
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXFK120N65X2-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 120A TO264
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 120A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole TO-264AA
Varasto:
12821287
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXFK120N65X2 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
HiPerFET™, Ultra X2
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
120A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
24mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
15500 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1250W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-264AA
Pakkaus / Kotelo
TO-264-3, TO-264AA
Perustuotenumero
IXFK120
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
25
Muut nimet
IXFK120N65X2X-DG
IXFK120N65X2XINACTIVE
IXFK120N65X2X
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXFX120N20
MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
IXFH18N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD
IXTN17N120L
MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
