Valmistajan tuotenumero:
IXFK25N90
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXFK25N90-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 900V 25A TO264AA
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 900 V 25A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Varasto:
12909210
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXFK25N90 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
-
Sarja
HiPerFET™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
900 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
25A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
330mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
10800 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
560W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-264AA (IXFK)
Pakkaus / Kotelo
TO-264-3, TO-264AA
Perustuotenumero
IXFK250
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
25
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IXFK40N90P
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
235
DiGi OSA NUMERO
IXFK40N90P-DG
Yksikköhinta
17.53
VAIHTOEHTO TYYPPI
Direct
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IRLR014PBF
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
IRLI630G
MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220-3
IXTK120N25
MOSFET N-CH 250V 120A TO264
