Valmistajan tuotenumero:
IXFM35N30
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXFM35N30-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 300V 35A TO204AE
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 300 V 35A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
Varasto:
12819948
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXFM35N30 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
-
Sarja
HiPerFET™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
300 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
35A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
100mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4800 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
300W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-204AE
Pakkaus / Kotelo
TO-204AE
Perustuotenumero
IXFM35
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
20
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
FDA38N30
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
17406
DiGi OSA NUMERO
FDA38N30-DG
Yksikköhinta
1.33
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXTA130N15X4-7
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
IXTA270N04T4-7
MOSFET N-CH 40V 270A TO263-7
IXTH460P2
MOSFET N-CH 500V 24A TO247
