Valmistajan tuotenumero:
IXFN21N100Q
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXFN21N100Q-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 1000 V 21A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Varasto:
12820653
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
4z4d
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXFN21N100Q Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
-
Sarja
HiPerFET™, Q Class
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
1000 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
21A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
500mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5900 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
520W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Chassis Mount
Toimittajan laitepaketti
SOT-227B
Pakkaus / Kotelo
SOT-227-4, miniBLOC
Perustuotenumero
IXFN21
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
10
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IXFN32N100Q3
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
8
DiGi OSA NUMERO
IXFN32N100Q3-DG
Yksikköhinta
46.94
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXTA48N20T
MOSFET N-CH 200V 48A TO263
IXFH26N60P
MOSFET N-CH 600V 26A TO247AD
IXFT26N100XHV
MOSFET N-CH 1000V 26A TO268HV
