Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IXFP20N50P3M
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXFP20N50P3M-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 58W (Tc) Through Hole TO-220-3
Varasto:
57 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12818860
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXFP20N50P3M Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
HiPerFET™, Polar3™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
500 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
8A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
300mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
58W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
IXFP20
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
IXFP20N50P3M
Tietokortit
IXFP20N50P3M
HTML-tietolomake
IXFP20N50P3M-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
-IXFP20N50P3M
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXTQ22N50P
MOSFET N-CH 500V 22A TO3P
IXFN230N20T
MOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
IXFH10N90
MOSFET N-CH 900V 10A TO247AD
IXFP220N06T3
MOSFET N-CH 60V 220A TO220AB