Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IXFP4N85X
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXFP4N85X-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 850 V 3.5A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB (IXFP)
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12912902
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXFP4N85X Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
HiPerFET™, Ultra X
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
850 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
3.5A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
247 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
150W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220AB (IXFP)
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
IXFP4N85
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
IXFx4N85X
Tietokortit
IXFP4N85X
HTML-tietolomake
IXFP4N85X-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STP6NK90Z
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
990
DiGi OSA NUMERO
STP6NK90Z-DG
Yksikköhinta
1.41
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STP5N95K5
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
876
DiGi OSA NUMERO
STP5N95K5-DG
Yksikköhinta
0.78
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STP7N105K5
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
463
DiGi OSA NUMERO
STP7N105K5-DG
Yksikköhinta
1.24
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STP8NK100Z
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
909
DiGi OSA NUMERO
STP8NK100Z-DG
Yksikköhinta
2.24
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
SI8407DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 5.8A 6MICRO FOOT
SI7804DN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8
SI3456BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP
IRFI530GPBF
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3