Valmistajan tuotenumero:
IXFP8N85X
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXFP8N85X-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 850 V 8A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB (IXFP)
Varasto:
280 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12821277
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXFP8N85X Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
HiPerFET™, Ultra X
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
850 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
8A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
850mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
654 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
200W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220AB (IXFP)
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
IXFP8N85
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
-1402-IXFP8N85X
238-IXFP8N85X
IXFP8N85X-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXFR80N50Q3
MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
IXFP7N100P
MOSFET N-CH 1000V 7A TO220AB
IXTA60N10T
MOSFET N-CH 100V 60A TO263
