Valmistajan tuotenumero:
IXFQ26N50P3
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXFQ26N50P3-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 26A TO3P
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 500 V 26A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
Varasto:
12820992
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXFQ26N50P3 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
HiPerFET™, Polar3™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
500 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
26A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
230mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2220 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
500W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-3P
Pakkaus / Kotelo
TO-3P-3, SC-65-3
Perustuotenumero
IXFQ26
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXTQ76N25T
MOSFET N-CH 250V 76A TO3P
IXT-1-1N100S1-TR
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
IXTQ120N20P
MOSFET N-CH 200V 120A TO3P
