IXFR58N20
Valmistajan tuotenumero:

IXFR58N20

Product Overview

Valmistaja:

IXYS

Osan numero:

IXFR58N20-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 200 V 50A (Tc) 300W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™

Varasto:

RFQ Verkkopalvelu
12819132
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

IXFR58N20 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
-
Sarja
HiPerFET™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
50A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
40mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3600 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
300W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
ISOPLUS247™
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
IXFR58

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
IXFR 58N20Q
Tietokortit
IXFR58N20
HTML-tietolomake
IXFR58N20-DG

Lisätietoja

Vakio-paketti
30

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Liittyvät tuotteet
littelfuse

IXTH32P20T

MOSFET P-CH 200V 32A TO247

littelfuse

IXFB30N120Q2

MOSFET N-CH 1200V 30A ISOPLUS264

littelfuse

IXTP70N085T

MOSFET N-CH 85V 70A TO220AB

littelfuse

IXTA90N055T2

MOSFET N-CH 55V 90A TO263