Valmistajan tuotenumero:
IXFT16N80P
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXFT16N80P-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 16A TO268
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 800 V 16A (Tc) 460W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Varasto:
12821187
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXFT16N80P Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
HiPerFET™, Polar
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
16A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
600mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4600 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
460W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-268AA
Pakkaus / Kotelo
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Perustuotenumero
IXFT16
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXTT110N10P
MOSFET N-CH 100V 110A TO268
IXFN100N50Q3
MOSFET N-CH 500V 82A SOT227B
IXFT32N100XHV
MOSFET N-CH 1000V 32A TO268HV
