Valmistajan tuotenumero:
IXFT20N60Q
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXFT20N60Q-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 20A TO268
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Varasto:
12911609
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
3ONT
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXFT20N60Q Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
-
Sarja
HiPerFET™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
20A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
350mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3300 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
300W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-268AA
Pakkaus / Kotelo
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Perustuotenumero
IXFT20
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IXTT30N60L2
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IXTT30N60L2-DG
Yksikköhinta
13.43
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXTQ22N60P
MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
IRFR9110
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
IXFN36N110P
MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
