Valmistajan tuotenumero:
IXFX220N17T2
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXFX220N17T2-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247-3
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 170 V 220A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Varasto:
12820050
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXFX220N17T2 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
HiPerFET™, TrenchT2™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
170 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
220A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
6.3mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
500 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
31000 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
1250W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
PLUS247™-3
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3 Variant
Perustuotenumero
IXFX220
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRF200P222
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
971
DiGi OSA NUMERO
IRF200P222-DG
Yksikköhinta
4.96
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXFT26N60Q
MOSFET N-CH 600V 26A TO268
IXTH60N25
MOSFET N-CH 250V 60A TO247
IXFH40N30Q
MOSFET N-CH 300V 40A TO247AD
