Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IXTA120N04T2
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXTA120N04T2-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12819864
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXTA120N04T2 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
TrenchT2™
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
120A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
6.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3240 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
200W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-263AA
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
IXTA120
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
IXT(A,P)120N04T2
Tietokortit
IXTA120N04T2
HTML-tietolomake
IXTA120N04T2-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IPB015N04LGATMA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
1708
DiGi OSA NUMERO
IPB015N04LGATMA1-DG
Yksikköhinta
2.17
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
PSMN8R0-40BS,118
VALMISTAJA
Nexperia USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
800
DiGi OSA NUMERO
PSMN8R0-40BS,118-DG
Yksikköhinta
0.53
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
BUK9609-40B,118
VALMISTAJA
Nexperia USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
5268
DiGi OSA NUMERO
BUK9609-40B,118-DG
Yksikköhinta
0.71
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
BUK765R2-40B,118
VALMISTAJA
NXP USA Inc.
Saatavilla oleva määrä
23190
DiGi OSA NUMERO
BUK765R2-40B,118-DG
Yksikköhinta
0.74
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IPB015N04NGATMA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
2165
DiGi OSA NUMERO
IPB015N04NGATMA1-DG
Yksikköhinta
1.80
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXTV230N085T
MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220
IXFH67N10Q
MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD
IXFB210N20P
MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
IXFB100N50P
MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264