IXTA1R4N100P
Valmistajan tuotenumero:

IXTA1R4N100P

Product Overview

Valmistaja:

IXYS

Osan numero:

IXTA1R4N100P-DG

Kuvaus:

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 1000 V 1.4A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-263AA

Varasto:

20 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12822244
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

IXTA1R4N100P Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
Polar
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
1000 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
17.8 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
450 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
63W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-263AA
Pakkaus / Kotelo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Perustuotenumero
IXTA1

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
IXT(A,P,Y)1R4N100P Building, Home Automation Appl Guide

Lisätietoja

Vakio-paketti
50

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Liittyvät tuotteet
littelfuse

IXFK90N20Q

MOSFET N-CH 200V 90A TO264AA

littelfuse

IXTC200N10T

MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220

littelfuse

IXTB62N50L

MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264

nxp-semiconductors

PHD18NQ10T,118

MOSFET N-CH 100V 18A DPAK