Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IXTF1N400
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXTF1N400-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 4000V 1A I4PAC
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 4000 V 1A (Tc) 160W (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12821375
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXTF1N400 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
4000 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
1A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
60Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2530 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
160W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
ISOPLUS i4-PAC™
Pakkaus / Kotelo
i4-Pac™-5 (3 Leads)
Perustuotenumero
IXTF1
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
IXTF1N400
Tietokortit
IXTF1N400
HTML-tietolomake
IXTF1N400-DG
Lisätietoja
Vakio-paketti
25
Muut nimet
Q5597315
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IXTF1N450
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
269
DiGi OSA NUMERO
IXTF1N450-DG
Yksikköhinta
73.34
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXFH270N06T3
MOSFET N-CH 60V 270A TO247
FMD40-06KC
MOSFET N-CH 600V 38A I4PAC
IXFK150N30P3
MOSFET N-CH 300V 150A TO264AA
IXFX32N100P
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3