Valmistajan tuotenumero:
IXTH1N100
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXTH1N100-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO247
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 1000 V 1.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Varasto:
12821140
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXTH1N100 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
1000 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
11Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 25µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
480 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
60W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247 (IXTH)
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
IXTH1
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXFN80N50P
MOSFET N-CH 500V 66A SOT227B
IXFE39N90
MOSFET N-CH 900V 34A SOT227B
IXTQ102N25T
MOSFET N-CH 250V 102A TO3P
