IXTH36P10
Valmistajan tuotenumero:

IXTH36P10

Product Overview

Valmistaja:

IXYS

Osan numero:

IXTH36P10-DG

Kuvaus:

MOSFET P-CH 100V 36A TO247
Yksityiskohtainen kuvaus:
P-Channel 100 V 36A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Varasto:

12904819
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä

IXTH36P10 Tekniset tiedot

Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
P-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
36A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
75mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
180W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247 (IXTH)
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
IXTH36

Tietolehtinen ja asiakirjat

Tekniset tiedot
Tietokortit
HTML-tietolomake

Lisätietoja

Vakio-paketti
30

Ympäristö- ja vientiluokitus

RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Vaihtoehtoiset mallit

Osanumero
IXTH52P10P
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
179
DiGi OSA NUMERO
IXTH52P10P-DG
Yksikköhinta
4.03
VAIHTOEHTO TYYPPI
MFR Recommended
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
diodes

ZVP4424ZTA

MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89-3

diodes

ZVP3306ASTZ

MOSFET P-CH 60V 160MA E-LINE

diodes

ZVP2120ASTZ

MOSFET P-CH 200V 120MA TO92-3

vishay-siliconix

IRFD113

MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP