Valmistajan tuotenumero:
IXTH3N120
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXTH3N120-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1200V 3A TO247
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 1200 V 3A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Varasto:
12821399
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXTH3N120 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
1200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
3A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
200W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247 (IXTH)
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
IXTH3
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXFN40N110P
MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
IXTQ96N15P
MOSFET N-CH 150V 96A TO3P
IXTH62N25T
MOSFET N-CH 250V 62A TO247
