Valmistajan tuotenumero:
IXTH6N120
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXTH6N120-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 1200 V 6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Varasto:
12820862
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXTH6N120 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
-
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
1200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
6A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2.6Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1950 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
300W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247 (IXTH)
Pakkaus / Kotelo
TO-247-3
Perustuotenumero
IXTH6
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
30
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STW7NK90Z
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
86
DiGi OSA NUMERO
STW7NK90Z-DG
Yksikköhinta
1.75
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXTH200N10T
MOSFET N-CH 100V 200A TO247
IXFB62N80Q3
MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264
IXTA27N20T
MOSFET N-CH 20V 27A TO263
