Valmistajan tuotenumero:
IXTK200N10P
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXTK200N10P-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 800W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Varasto:
300 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12915642
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
vn52
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXTK200N10P Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
Polar
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
200A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
7.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 500µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
7600 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
800W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-264 (IXTK)
Pakkaus / Kotelo
TO-264-3, TO-264AA
Perustuotenumero
IXTK200
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
25
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
PHB32N06LT,118
MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK
IXFH120N15P
MOSFET N-CH 150V 120A TO247AD
BUK7Y59-60EX
MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK56
