Valmistajan tuotenumero:
IXTM5N100
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXTM5N100-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1000V 5A TO204AA
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 1000 V 5A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-204AA (IXTM)
Varasto:
12821343
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXTM5N100 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
1000 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
5A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
180W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-204AA (IXTM)
Pakkaus / Kotelo
TO-204AA, TO-3
Perustuotenumero
IXTM5
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
20
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRFPG50PBF
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
127
DiGi OSA NUMERO
IRFPG50PBF-DG
Yksikköhinta
2.56
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXFP56N30X3
MOSFET N-CH 300V 56A TO220AB
IXFX12N90Q
MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247-3
IXFY5N50P3
MOSFET N-CH 500V 5A TO252
