Valmistajan tuotenumero:
IXTP12N50P
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXTP12N50P-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3
Varasto:
73 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12821174
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
YcLd
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXTP12N50P Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
Polar
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
500 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
12A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
500mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1830 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
200W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
IXTP12
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXFT12N100
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
IXTT26N50P
MOSFET N-CH 500V 26A TO268
IXFH12N120
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD
