Valmistajan tuotenumero:
IXTP24N65X2M
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXTP24N65X2M-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Varasto:
295 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12909962
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXTP24N65X2M Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
Ultra X2
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
24A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
145mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2060 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
37W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220 Isolated Tab
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Perustuotenumero
IXTP24
Tietolehtinen ja asiakirjat
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
-IXTP24N65X2M
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
2N7002LT3
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
IRFIB6N60APBF
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
