Valmistajan tuotenumero:
IXTP2N100P
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXTP2N100P-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 1000 V 2A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-220-3
Varasto:
136 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12820967
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXTP2N100P Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
Polar
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
1000 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
2A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
24.3 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
655 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
86W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
IXTP2
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
HTML-tietolomake
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
-IXTP2N100P
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXKC23N60C5
MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220
IXTA08N50D2
MOSFET N-CH 500V 800MA TO263
IXKN75N60C
MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B