Valmistajan tuotenumero:
IXTP3N110
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXTP3N110-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1100V 3A TO220AB
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 1100 V 3A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
Varasto:
12820720
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXTP3N110 Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
1100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
3A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
150W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
IXTP3
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
IRFBG30PBF
VALMISTAJA
Vishay Siliconix
Saatavilla oleva määrä
4495
DiGi OSA NUMERO
IRFBG30PBF-DG
Yksikköhinta
1.02
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STP3NK90Z
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
361
DiGi OSA NUMERO
STP3NK90Z-DG
Yksikköhinta
0.77
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IXTP2R4N120P
VALMISTAJA
IXYS
Saatavilla oleva määrä
14
DiGi OSA NUMERO
IXTP2R4N120P-DG
Yksikköhinta
3.25
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXTA230N075T2-7
MOSFET N-CH 75V 230A TO263-7
IXTA3N120HV
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
IXTA230N04T4
MOSFET N-CH 40V 230A TO263AA
