Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IXTP4N70X2M
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXTP4N70X2M-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 700V 4A TO220
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 700 V 4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Varasto:
24 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12820827
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
5
M
L
J
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXTP4N70X2M Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
Tube
Sarja
Ultra X2
Tuotteen tila
Active
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
700 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
4A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
850mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
11.8 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
386 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
30W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220 Isolated Tab
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Perustuotenumero
IXTP4
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
IXTP4N70X2M
HTML-tietolomake
IXTP4N70X2M-DG
Tekniset tiedot
IXTP4N70X2M
Building, Home Automation Appl Guide
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
IXTP4N70X2M-DG
-1402-IXTP4N70X2M
238-IXTP4N70X2M
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
Not Applicable
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
TK6A60W,S4VX
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
45
DiGi OSA NUMERO
TK6A60W,S4VX-DG
Yksikköhinta
0.84
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STP10NK60ZFP
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
1027
DiGi OSA NUMERO
STP10NK60ZFP-DG
Yksikköhinta
1.49
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
TK7A60W5,S5VX
VALMISTAJA
Toshiba Semiconductor and Storage
Saatavilla oleva määrä
80
DiGi OSA NUMERO
TK7A60W5,S5VX-DG
Yksikköhinta
0.62
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
R6007ENX
VALMISTAJA
Rohm Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
129
DiGi OSA NUMERO
R6007ENX-DG
Yksikköhinta
0.92
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IPA70R750P7SXKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
76
DiGi OSA NUMERO
IPA70R750P7SXKSA1-DG
Yksikköhinta
0.71
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXFH14N100Q2
MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
IXFP24N60X
MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB
IXFT58N20
MOSFET N-CH 200V 58A TO268
IXFH28N50Q
MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD