Koti
Tuotteet
Valmistajat
Tietoja DiGi
Ota meihin yhteyttä
Blogit ja julkaisut
Kysely tarjous
Finland
Kirjaudu sisään
Valinnainen kieli
Valitse haluamasi kieli:
Finland
Kytkin:
Englanti
Eurooppa
Iso-Britannia
Ranska
Espanja
Turkki
Moldova
Liettua
Norja
Saksa
Portugali
Slovakia
Italia
Suomi
Venäjä
Bulgaria
Tanska
Viro
Puola
Ukraina
Slovenia
Tšekki
Kreikka
Kroatia
Israel
Serbia
Valko-Venäjä
Alankomaat
Ruotsi
Montenegro
Baski
Islanti
Bosnia
Unkari
Romania
Itävalta
Belgia
Irlanti
Aasia / Tyynenmeren alue
Kiina
Vietnam
Indonesia
Thaimaa
Laos
Filippiini
Malesia
Korea
Japani
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodža
Myanmar
Afrikka, Intia ja Lähi-itä
Yhdistyneet arabiemiirikunnat
Tadžikistan
Madagaskar
Intia
Iran
Kongon demokraattinen tasavalta
Etelä-Afrikka
Egypti
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Etelä-Amerikka / Oseania
Uusi-Seelanti
Angola
Brasilia
Mosambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentiina
Paraguay
Australia
Pohjois-Amerikka
Yhdysvallat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Meksiko
Tietoja DiGi
Meistä
Meistä
Sertifikaattimme
DiGi Esittely
Miksi DiGi
Politiikka
Laatupolitiikka
Käyttöehdot
RoHS-yhteensopivuus
Palautusprosessi
Resurssit
Tuotekategoriat
Valmistajat
Blogit ja julkaisut
Palvelut
Laatutakuu
Maksutapa
Globaali toimitus
Toimituskustannukset
UKK
Valmistajan tuotenumero:
IXTP7N60P
Product Overview
Valmistaja:
IXYS
Osan numero:
IXTP7N60P-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
Varasto:
RFQ Verkkopalvelu
12820905
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
*
Yritys
*
Yhteyshenkilön nimi
*
Puhelin
*
Sähköposti
Toimitusosoite
Viesti
(
*
) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
IXTP7N60P Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Littelfuse
Paketti
-
Sarja
PolarHV™
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
7A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.1Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 100µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1080 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
150W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3
Perustuotenumero
IXTP7
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tietokortit
IXTP7N60P
HTML-tietolomake
IXTP7N60P-DG
Tekniset tiedot
IXT(A,P)7N60P
Building, Home Automation Appl Guide
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Ympäristö- ja vientiluokitus
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STP7N60M2
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
2571
DiGi OSA NUMERO
STP7N60M2-DG
Yksikköhinta
0.49
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
IPP80R900P7XKSA1
VALMISTAJA
Infineon Technologies
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
IPP80R900P7XKSA1-DG
Yksikköhinta
0.56
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
STP9NK60Z
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
35
DiGi OSA NUMERO
STP9NK60Z-DG
Yksikköhinta
1.10
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
FCP7N60
VALMISTAJA
onsemi
Saatavilla oleva määrä
1000
DiGi OSA NUMERO
FCP7N60-DG
Yksikköhinta
1.05
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
FCP4N60
VALMISTAJA
Fairchild Semiconductor
Saatavilla oleva määrä
1335
DiGi OSA NUMERO
FCP4N60-DG
Yksikköhinta
1.02
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
IXTH62N65X2
MOSFET N-CH 650V 62A TO247
IXTY02N120P
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
IXTN200N10T
MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B
IXFH16N80P
MOSFET N-CH 800V 16A TO247AD